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6T10G-TW	文件：340.8 Kbytes Page：6 Pages	TRIACs,6ASnubberless,LogicLevelandStandard	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼尔半导体尼尔半导体股份有限公司	NELLSEMI
SM6T10	文件：1.55592 Mbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR Features GlassPassivatedDieConstruction Uni-andBi-DirectionalVersionsAvailable ExcellentClampingCapability FastResponseTime PlasticMaterial:ULFlammability ClassificationRating94V-0	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
SM6T10A	文件：86.67 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR FEATURES •Forsurfacemountedapplicationsinordertooptimizeboardspace •Lowprofilepackage •Built-instrainrelief •Glasspassivatedjunction •Lowinductance •Excellentclampingcapability •Repetitionrate(dutycycle):0.01 •Fastresponsetime:typicallylessthan1.0psfrom	MDE MDE Semiconductor, Inc.	MDE
SM6T10A	文件：111.21 Kbytes Page：5 Pages	SurfaceMountTRANSZORB®TransientVoltageSuppressors	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SM6T10A	文件：36.63 Kbytes Page：3 Pages	SurfaceMountTRANSZORBTransientVoltageSuppressors FEATURES •Lowprofilepackage •Idealforautomatedplacement •Glasspassivatedchipjunction •Availableinuni-directionalandbi-directional •600Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000μswaveform,repetitiverate(dutycycle):0.01 •Excellentclampingcapability •Lowinducta	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SM6T10A	文件：55.83 Kbytes Page：3 Pages	TRANSZORB??SURFACEMOUNTTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR BreakdownVoltage-6.8to220VoltsPeakPulsePower-600Watts FEATURES ♦Forsurfacemountedapplicationsinordertooptimizeboardspace ♦Lowprofilepackage ♦Built-instrainrelief ♦Glasspassivatedjunction ♦Lowinductance ♦Excellentclampingcapability ♦RepetitionRate(duty	GE GE Industrial Company	GE
SM6T10A	文件：633.287 Kbytes Page：4 Pages	600W10VTVStransientsuppressordiode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE
SM6T10A	文件：633.509 Kbytes Page：0 Pages	SURFACEMOUNTTRANSIENTVOLTAGESUPPESSORDIODE	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE
SM6T10A	文件：125.17 Kbytes Page：10 Pages	Transil Description TheSM6TTransilserieshasbeendesignedtoprotectsensitiveequipmentagainstelectrostaticdischargesaccordingtoIEC61000-4-2andMILSTD883,method3015,andelectricaloverstressaccordingtoIEC61000-4-4and5.Thesedevicesaremoregenerallyusedagainstsurgesbelow600	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
SM6T10A	文件：108.31 Kbytes Page：5 Pages	SurfaceMountTRANSZORBTransientVoltageSuppressors FEATURES •Lowprofilepackage •Idealforautomatedplacement •Glasspassivatedchipjunction •600Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000µswaveform •Availableinuni-directionalandbi-directional •Excellentclampingcapability •Lowinductance •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-0	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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