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SMA611	文件：375.37 Kbytes Page：2 Pages	Cascadable Amplifier 5 to 700 MHz Description TheA611RFamplifierisadiscretethinfilmhybriddesign,whichincorporatestheuseofthinfilmmanufacturingprocessesforaccurateperformanceandhighreliability. Thissinglestagebipolartransistorfeedbackamplifierdesigndisplaysimpressiveperformanceoverabroadband	MACOMTyco Electronics 玛科姆技术方案控股有限公司	MACOM
SMA611	文件：1.34082 Mbytes Page：2 Pages	Cascadable Amplifier 5 to 700 MHz Description TheA611RFamplifierisadiscretethinfilmhybriddesign,whichincorporatestheuseofthinfilmmanufacturingprocessesforaccurateperformanceandhighreliability.Thissinglestagebipolartransistorfeedbackamplifierdesigndisplaysimpressiveperformanceoverabroadbandf	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.	MA-COM
SMA611	文件：641.64 Kbytes Page：3 Pages	Cascadable Amplifier 5 to 700 MHz	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.	MA-COM
SMA611	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：4-SMD 模块；包装：盒类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器描述：AMPLIFIER,SURFACE MOUNT	MACOM Technology Solutions MACOM Technology Solutions	MACOM Technology Solutions
SSC-HYT611	文件：519.01 Kbytes Page：11 Pages	TOPLEDDEVICE	SEOULSeoul Semiconductor Co., Ltd. 首尔半导体首尔半导体有限公司	SEOUL
SSC-MBT611	文件：513.35 Kbytes Page：11 Pages	TOPLEDDEVICE	SEOULSeoul Semiconductor Co., Ltd. 首尔半导体首尔半导体有限公司	SEOUL
SSC-MGT611	文件：557.33 Kbytes Page：11 Pages	TOPLEDDEVICE	SEOULSeoul Semiconductor Co., Ltd. 首尔半导体首尔半导体有限公司	SEOUL
STDRIVEG611	文件：1.70827 Mbytes Page：33 Pages	Highvoltageandhigh-speedhalf-bridgegatedriverforGaNpowerswitches Features •Highvoltagerailupto600V •dV/dttransientimmunity±200V/ns •Driverwithseparatedsinkandsourcepathforoptimaldriving: –2.4Aand1.2Ωsink –1.0Aand3.7Ωsource •High-sideandlow-sidelinearregulatorsfor6Vgatedrivingvoltage •Fasthigh-sidestartupti	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STDRIVEG611Q	文件：1.70827 Mbytes Page：33 Pages	Highvoltageandhigh-speedhalf-bridgegatedriverforGaNpowerswitches Features •Highvoltagerailupto600V •dV/dttransientimmunity±200V/ns •Driverwithseparatedsinkandsourcepathforoptimaldriving: –2.4Aand1.2Ωsink –1.0Aand3.7Ωsource •High-sideandlow-sidelinearregulatorsfor6Vgatedrivingvoltage •Fasthigh-sidestartupti	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STDRIVEG611QTR	文件：1.70827 Mbytes Page：33 Pages	Highvoltageandhigh-speedhalf-bridgegatedriverforGaNpowerswitches Features •Highvoltagerailupto600V •dV/dttransientimmunity±200V/ns •Driverwithseparatedsinkandsourcepathforoptimaldriving: –2.4Aand1.2Ωsink –1.0Aand3.7Ωsource •High-sideandlow-sidelinearregulatorsfor6Vgatedrivingvoltage •Fasthigh-sidestartupti	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

产品属性

产品编号：
SMA611
制造商：
MACOM Technology Solutions
类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > 射频放大器
系列：
SMA611
包装：
盒
频率：
2MHz ~ 700MHz
P1dB：
12.5dBm
增益：
15dB
噪声系数：
3.2dB
射频类型：
通用
电压 - 供电：
5V
电流 - 供电：
31mA
测试频率：
2MHz ~ 700MHz
封装/外壳：
4-SMD 模块
描述：
AMPLIFIER,SURFACE MOUNT

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