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SMA5106	文件：22.92 Kbytes Page：1 Pages	N-channel With built-in flywheel diode N-channel With built-in flywheel diode 文件：22.92 Kbytes 页数：1 Pages	SANKEN 三垦	SANKEN
SMA5106	文件：38.02 Kbytes Page：1 Pages	N-channel With built-in flywheel diode 文件：38.02 Kbytes 页数：1 Pages	SANKEN 三垦	SANKEN
SMA5106	文件：300 bytes Page：1 Pages	拉电流驱动器（内置雪崩光电二极管）阵列硅 N 通道 MOSFET 阵列（四合一）\n下沉式驱动器阵列。・内置续流二极管\n・内置 4 个 N 通道 MOSFET。\n・导通阻抗低;	Sanken 三垦	Sanken
SMA5106	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：12-SIP；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列描述：TRANS 4NPN DARL 120V 5A	SANKEN 三垦	SANKEN
SMA5106_01	文件：38.02 Kbytes Page：1 Pages	N-channel With built-in flywheel diode 文件：38.02 Kbytes 页数：1 Pages	SANKEN 三垦	SANKEN

产品属性

产品编号：
SMA5106
制造商：
Sanken
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
4 NPN 达林顿（双）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
5A
电压 - 集射极击穿（最大值）：
120V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.5V @ 3mA，3A
电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
2000 @ 3A，2V
功率 - 最大值：
5W
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
12-SIP
供应商器件封装：
12-SIP
描述：
TRANS 4NPN DARL 120V 5A

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