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SM8S40AHE3_A/I

Package:DO-218AB;包装:卷带(TR)剪切带(CT) 类别:电路保护 TVS - 二极管 描述:TVS DIODE 40VWM 64.5VC DO218AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

SM8S40AHE3

SurfaceMountPARTransientVoltageSuppressors

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

产品属性

  • 产品编号:

    SM8S40AHE3_A/I

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 类别:

    电路保护 > TVS - 二极管

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101, PAR®

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)

  • 类型:

    齐纳

  • 电压 - 反向断态(典型值):

    40V

  • 电压 - 击穿(最小值):

    44.4V

  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):

    64.5V

  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs):

    102A

  • 功率 - 峰值脉冲:

    6600W(6.6kW)

  • 电源线路保护:

  • 应用:

    汽车级

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    DO-218AB

  • 供应商器件封装:

    DO-218AB

  • 描述:

    TVS DIODE 40VWM 64.5VC DO218AB

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多SM8S40AHE3_A/I供应商 更新时间2025-7-25 11:00:00