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SM8S32A电路保护的TVS-二极管规格书PDF中文资料

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厂商型号

SM8S32A

参数属性

SM8S32A 封装/外壳为DO-218AB;包装为卷带(TR);类别为电路保护的TVS-二极管;SM8S32A应用范围:汽车级;产品描述:TVS DIODE 32VWM 51.4VC DO218AB

功能描述

Surface Mount Transient Voltage Suppressors

封装外壳

DO-218AB

文件大小

3.26512 Mbytes

页面数量

6

生产厂商

UNSEMI

中文名称

优恩半导体

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数据手册

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更新时间

2025-10-6 11:06:00

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SM8S32A规格书详情

特性 Features

Junction passivation optimized design passivated anisotropic

rectifier technology

TJ=175°C capability suitable for high reliability and automotive

requirement

Available in uni-directional polarity only

Low leakage current

Low forward voltage drop

High surge capability

Meets ISO7637-2 surge specification (varied by test condition)

Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of

245 °C

AEC-Q101 qualified

Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in accordance

to WEEE 2002/96/EC

产品属性

  • 产品编号:

    SM8S32A

  • 制造商:

    SMC Diode Solutions

  • 类别:

    电路保护 > TVS - 二极管

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 类型:

    齐纳

  • 电压 - 反向断态(典型值):

    32V

  • 电压 - 击穿(最小值):

    35.5V

  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):

    51,4V

  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs):

    128.5A

  • 功率 - 峰值脉冲:

    6600W(6.6kW)

  • 电源线路保护:

  • 应用:

    汽车级

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    DO-218AB

  • 供应商器件封装:

    DO-218AB

  • 描述:

    TVS DIODE 32VWM 51.4VC DO218AB

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