SM8S26电路保护的TVS-二极管规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
SM8S26 |
| 参数属性 | SM8S26 封装/外壳为DO-218AB；包装为卷带（TR）；类别为电路保护的TVS-二极管；SM8S26应用范围：汽车级；产品描述：TVS DIODE 26VWM 42.1VC DO218AB |
| 功能描述 | Surface Mount Transient Voltage Suppressors (TVS) |
| 封装外壳 | DO-218AB |
| 文件大小 |
2.70428 Mbytes |
| 页面数量 |
4 页 |
| 生产厂商 | UN Semiconducctor INC |
| 企业简称 |
UNSEMI【优恩半导体】 |
| 中文名称 | 深圳市优恩半导体有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-5-10 11:50:00 |
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SM8S26规格书详情
Description
The SM8S series is designed specifically to protect sensitive electronic equipment from voltage transients induced by lightning and other transient voltage events.
◆ Junction passivation optimized design passivated anisotropic rectifier technology
◆ TJ=175°C capability suitable for high reliability and automotive requirement
◆ Available in uni-directional polarity only
◆ Low leakage current
◆ Low forward voltage drop
◆ High surge capability
◆ Meets ISO7637-2 surge specification (varied by test condition)
◆ Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C
◆ AEC-Q101 qualified
◆ Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC Features
Applications
Use in sensitive electronics protection against voltage transients induced by inductive load switching and lighting, especially for automotive load dump protection application.
产品属性
- 产品编号：
SM8S26A-001HE3/2D
- 制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 类别：
电路保护 > TVS - 二极管
- 系列：
Automotive, AEC-Q101, PAR®
- 包装：
卷带（TR）
- 类型：
齐纳
- 电压 - 反向断态（典型值）：
26V
- 电压 - 击穿（最小值）：
28.9V
- 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：
42.1V
- 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)：
157A
- 功率 - 峰值脉冲：
6600W（6.6kW）
- 电源线路保护：
无
- 应用：
汽车级
- 工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
DO-218AB
- 供应商器件封装：
DO-218AB
- 描述：
TVS DIODE 26VWM 42.1VC DO218AB
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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