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SM8S10AHE3	文件：300 bytes Page：1 Pages	TVS	MCC 美微科	MCC
SM8S10AHE3/2D	文件：115.83 Kbytes Page：5 Pages	Surface Mount Automotive Transient Voltage Suppressors Surface Mount PAR® Transient Voltage Suppressors High Temperature Stability and High Reliability Conditions FEATURES • Junction passivation optimized design passivated anisotropic rectifier technology • TJ = 175 °C capability suitable for high reliability and automotive requirement • Availabl 文件：115.83 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SM8S10AHE3SLASH2D	文件：115.83 Kbytes Page：5 Pages	Surface Mount Automotive Transient Voltage Suppressors Surface Mount PAR® Transient Voltage Suppressors High Temperature Stability and High Reliability Conditions FEATURES • Junction passivation optimized design passivated anisotropic rectifier technology • TJ = 175 °C capability suitable for high reliability and automotive requirement • Availabl 文件：115.83 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SM8S10AHE3-2D	文件：97.7 Kbytes Page：5 Pages	Surface Mount PAR Transient Voltage Suppressors 文件：97.7 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SM8S10AHE3/2E	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-218AB；包装：卷带（TR）类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 10VWM 17VC DO218AB	Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SM8S10AHE3_A/I	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-218AB；包装：卷带（TR）剪切带（CT）类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 10VWM 17VC DO218AB	Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SM8S10AHE3_A/K	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-218AB；包装：散装类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 10VWM DO218AB	Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division

详细参数

型号：
SM8S10AHE3
功能描述：
TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 8.0W 10V 5% Unidir
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
极性：
Bidirectional
击穿电压：
58.9 V
钳位电压：
77.4 V
峰值浪涌电流：
38.8 A
封装/箱体：
DO-214AB
最小工作温度：
- 55 C
最大工作温度：
+ 150 C

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