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SM8S10AHE3-2D	文件：97.7 Kbytes Page：5 Pages	Surface Mount PAR Transient Voltage Suppressors 文件：97.7 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SM8S10AT	文件：99.81 Kbytes Page：5 Pages	Surface Mount PAR® Transient Voltage Suppressors 文件：99.81 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SM8S10CA	文件：443.26 Kbytes Page：4 Pages	6600W Transient Voltage Suppressors 文件：443.26 Kbytes 页数：4 Pages	HUAXINAN 华兴安	HUAXINAN
SM8S10CAD	文件：1.08967 Mbytes Page：5 Pages	Surface Mount Transient Voltage Suppressors (TVS) 文件：1.08967 Mbytes 页数：5 Pages	SOCAY 硕凯股份	SOCAY
SM8S10AD/SM8S10CAD	文件：300 bytes Page：1 Pages	瞬态抑制二极管	Socay 硕凯股份	Socay
SM8S10AD1/SM8S10CAD1	文件：300 bytes Page：1 Pages	瞬态抑制二极管	Socay 硕凯股份	Socay
SM8S10AH	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-218AB；包装：卷带（TR）类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 10VWM UNI	Eaton - Electronics Division	Eaton - Electronics Division
SM8S10AHE3/2D	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-218AB；包装：卷带（TR）类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 10VWM 17VC DO218AB	Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SM8S10AHE3/2E	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-218AB；包装：卷带（TR）类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 10VWM 17VC DO218AB	Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division

技术参数

Breakdown Voltage V(BR) Volts：
11.10
Clamping Voltage VC Volts：
18.80
Peak Current IPP Amps：
351.00
Leakage Current @ VWM µA：
15.00

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更多SM8S10供应商更新时间2025-10-6 15:41:00

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