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SM8S10-E3/2D

GS
原厂封装

GSITECHNOLOGY

GSI Technology

相关企业:深圳瞄钧科技有限公司

SM8S10-E3/2D

GS
原厂封装

GSG

Gunter Seniconductor GmbH.

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SM8S10-E3/2D

GS
原厂封装

GSI

GSI Technology

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SM8S10-E3/2D

GS
原厂封装

GSMEGuilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd.

桂微桂林斯壮桂微电子有限责任公司

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SM8S10-E3/2D

GS
原厂封装

MICROESYS

GSI Group, Inc.

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详细参数

  • 型号:

    SM8S10-E3/2D

  • 功能描述:

    TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 8W 10V Unidirect

  • RoHS:

  • 制造商:

    Vishay Semiconductors

  • 极性:

    Bidirectional

  • 击穿电压:

    58.9 V

  • 钳位电压:

    77.4 V

  • 峰值浪涌电流:

    38.8 A

  • 封装/箱体:

    DO-214AB

  • 最小工作温度:

    - 55 C

  • 最大工作温度:

    + 150 C

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
GS
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原厂封装
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更多SM8S10-E3/2D供应商 更新时间2025-5-19 10:30:00