SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR

General Description Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others. Polyfet process features low feedback and output capacitances, re

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Polyfet

VDMOS SHORTFORM S1

Polyfet RF Devices

RF POWER VDMOS TRANSISTOR

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Polyfet

SOT-23 Precision Micropower Series Voltage Reference

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Smart Bypass Diode

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Smart Bypass Diode

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0.5V 至 100V 智能旁路二极管

SM74611 是一款面向光伏应用的智能旁路二极管。 该二极管可为正常工作期间被遮蔽的部分光伏板提供另外一条线串电流路径。 如果没有旁路二极管，被遮蔽单元会因反向偏置单元功耗过大而呈现为过热点。 目前采用传统的 P-N 结二极管或肖特基二极管来缓解这一问题。 遗憾的是，此类二极管的正向电压仍偏高（普通二极管约为 0.6V，而肖特基二极管为 0.4V）。 当流过二极管的电流为 10A 时，功耗会高达 6W。这会导致二极管所在接线盒的内部温度升高并降低模块可靠性。 SM74611 的优势在于，正向压降比 P-N 结二极管和肖特基二极管低。 该二极管在 8A 电流下的平均正向压降典型值为 26mV。 • 最低反向电压 (VR)：30V\n• 正向工作电流 (IF)：高达 15A\n• 低平均正向电压：8A 时为 26mV\n• 功耗比肖特基二极管低 \n• 泄漏电流比肖特基二极管低\n• 与传统的 D2PAK 肖特基二极管封装和引脚兼容\n• 工作温度范围 (Tj)：-40°C 至 125°C;

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SOT-23 Precision Micropower Series Voltage Reference

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Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：管件 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述：DIODE GEN PURP 30V 15A DDPAK

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