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STB6012	文件：73.52 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTBIDIRECTIONALTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
STBR6012	文件：303.52 Kbytes Page：8 Pages	Highvoltagerectifierforbridgeapplications	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STBR6012W	文件：303.52 Kbytes Page：8 Pages	Highvoltagerectifierforbridgeapplications	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STBR6012-Y	文件：307.83 Kbytes Page：8 Pages	Automotivehighvoltagerectifierforbridgeapplications	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STTH6012	文件：111.94 Kbytes Page：8 Pages	Ultrafastrecovery-1200Vdiode Description Thehighqualitydesignofthisdiodehasproducedadevicewithlowleakagecurrent,regularlyreproduciblecharacteristicsandintrinsicruggedness.Thesecharacteristicsmakeitidealforheavydutyapplicationsthatdemandlongtermreliability. Suchdemandingapplicationsinclud	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STTH6012W	文件：673.26 Kbytes Page：3 Pages	60Ampere,1200VoltSwitchModeSingleFastRecoveryEpitaxialDiode GENERALDESCRIPTION STTH6012WusingthelastestFREDFABprocess(planarpassivationchip)withultrafastandsoftrecoverycharacteristic. PRODUCTFEATURE •UltrafastRecoveryTime •SoftRecoveryCharacteristics •LowRecoveryLoss •LowForwardVoltage •HighSurgeCurrentCapability •L	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
STTH6012W	文件：111.94 Kbytes Page：8 Pages	Ultrafastrecovery-1200Vdiode Description Thehighqualitydesignofthisdiodehasproducedadevicewithlowleakagecurrent,regularlyreproduciblecharacteristicsandintrinsicruggedness.Thesecharacteristicsmakeitidealforheavydutyapplicationsthatdemandlongtermreliability. Suchdemandingapplicationsinclud	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STU6012	文件：28.4 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR VBR:6.8-440Volts PPK:600Watts FEATURES: 600Wsurgecapabilityat1ms Excellentclampingcapability Lowzenerimpedance Fastresponsetime:typicallylessthen1.0psfrom0volttoVBR(min.) TypicalIRlessthen1mAabove10V Pb/RoHSFree	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
STU6012	文件：61.72 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
SZ6012	文件：476.37 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES VOLTAGERANGE:3.3-200V POWER:5.0Watts Features •CompleteVoltageRange3.3to200Volts •Highpeakreversepowerdissipation •Highreliability •Lowleakagecurrent	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市粤骏腾电子科技有限公司	SM6012NSUC	SINOPOWER/大中	24+	TO-251S	786000	全新原装假一罚十	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	SM6012NSUC	INFINOEN	23+	DPAK(TO-	69820	终端可以免费供样,支持BOM配单!	询价
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