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SM4T7V5C	文件：126.01 Kbytes Page：7 Pages	TRANSIL DESCRIPTION Transildiodesprovidehighovervoltageprotectionbyclampingaction.TheirinstantaneousreponsetotransientsmakesthempraticularlysuitedtoprotectvoltagesensitivedevicessuchasMOSTechnologyandlowvoltagesuppliedIC’s. ■PEAKPULSEPOWER=400W@1ms. ■BREAKDOWNVOL	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
SM4T7V5CA	文件：126.01 Kbytes Page：7 Pages	TRANSIL DESCRIPTION Transildiodesprovidehighovervoltageprotectionbyclampingaction.TheirinstantaneousreponsetotransientsmakesthempraticularlysuitedtoprotectvoltagesensitivedevicessuchasMOSTechnologyandlowvoltagesuppliedIC’s. ■PEAKPULSEPOWER=400W@1ms. ■BREAKDOWNVOL	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
SM4T7V5CA	文件：300 bytes Page：1 Pages	TVS二极管（贴片）;	PHYShenzhen Saite Microelectronics Co., LTD 赛特微深圳市赛特微电子有限公司	PHY
SM4T7V5	文件：126.01 Kbytes Page：7 Pages	TRANSIL DESCRIPTION Transildiodesprovidehighovervoltageprotectionbyclampingaction.TheirinstantaneousreponsetotransientsmakesthempraticularlysuitedtoprotectvoltagesensitivedevicessuchasMOSTechnologyandlowvoltagesuppliedIC’s. ■PEAKPULSEPOWER=400W@1ms. ■BREAKDOWNVOL	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
SM4T7V5A	文件：126.01 Kbytes Page：7 Pages	TRANSIL DESCRIPTION Transildiodesprovidehighovervoltageprotectionbyclampingaction.TheirinstantaneousreponsetotransientsmakesthempraticularlysuitedtoprotectvoltagesensitivedevicessuchasMOSTechnologyandlowvoltagesuppliedIC’s. ■PEAKPULSEPOWER=400W@1ms. ■BREAKDOWNVOL	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

技术参数

I(AV)(A)：
0.01
IFSM(A)：
40
VF@IF_V：
3.5
VF@IF_A：
0.01
IR(μA)：
500
Package & Size：
SMA

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多SM4T7V5C供应商更新时间2025-7-29 17:00:00

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