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SM2221CSQG

Dual Enhancement Mode MOSFET (N- and P-Channel)

文件:223.38 Kbytes 页数:16 Pages

SINOPWER

大中集成电路

SM2221CSQG

N-Channel and P-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:1.73452 Mbytes 页数:7 Pages

DOINGTER

杜因特

SM2221CSQGC-TRG

Dual Enhancement Mode MOSFET (N- and P-Channel)

文件:223.38 Kbytes 页数:16 Pages

SINOPWER

大中集成电路

SM2221CSQG

Dual Enhancement Mode MOSFET (N- and P-Channel)

Sinopower

大中集成电路

SM2221CSQGC

N-Channel MOSFET

Sinopower

大中集成电路

技术参数

  • Cfg.:

    N+P

  • BV(V):

    12

  • VGS (±V):

    8

  • ID (A)TA=25:

    6.8

  • VTH(V)typ.:

    0.7

  • Rg (Ω)typ.:

    2.5

  • 4.5V max.:

    21

  • 2.5V max.:

    27

  • 1.8V max.:

    39

  • 1.5V max.:

    62

  • Ciss (pF)typ.:

    510

  • Coss (pF)typ.:

    130

  • Crss (pF)typ.:

    110

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SINOPOWER/大中
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更多SM2221CSQG供应商 更新时间2026-2-9 9:23:00