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SM2001CSK

Dual Enhancement Mode MOSFET (N- and P-Channel)

文件:293.59 Kbytes 页数:16 Pages

SINOPWER

大中集成电路

SM2001CSK

N-Channel and P-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:2.57115 Mbytes 页数:9 Pages

DOINGTER

杜因特

SM2001CSKC-TRG

Dual Enhancement Mode MOSFET (N- and P-Channel)

文件:293.59 Kbytes 页数:16 Pages

SINOPWER

大中集成电路

SM2001CSK

Dual Enhancement Mode MOSFET (N- and P-Channel)

Sinopower

大中集成电路

SM2001CSKC

N-Channel MOSFET

Sinopower

大中集成电路

技术参数

  • Cfg.:

    N+P

  • BV(V):

    20

  • VGS (±V):

    12

  • ID (A)TA=25:

    9.5

  • VTH(V)typ.:

    0.7

  • Rg (Ω)typ.:

    0.7

  • 4.5V max.:

    14

  • 2.5V max.:

    18

  • Ciss (pF)typ.:

    795

  • Coss (pF)typ.:

    160

  • Crss (pF)typ.:

    118

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