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SM2608NSC	文件：166.2 Kbytes Page：11 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET	SINOPWERSinopower Semiconductor Inc 大中集成电路大中集成电路股份有限公司	SINOPWER
SM2608NSCC-TRG	文件：166.2 Kbytes Page：11 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET	SINOPWERSinopower Semiconductor Inc 大中集成电路大中集成电路股份有限公司	SINOPWER
SM2609PSC	文件：167.5 Kbytes Page：11 Pages	P-Channel Enhancement Mode MOSFET	SINOPWERSinopower Semiconductor Inc 大中集成电路大中集成电路股份有限公司	SINOPWER
SM2609PSCC-TRG	文件：167.5 Kbytes Page：11 Pages	P-Channel Enhancement Mode MOSFET	SINOPWERSinopower Semiconductor Inc 大中集成电路大中集成电路股份有限公司	SINOPWER
SM260A_15	文件：179.68 Kbytes Page：4 Pages	Schottky Barrier Rectifiers	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
SM260B	文件：230.79 Kbytes Page：2 Pages	2.0 AMP Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SM260BF	文件：1.0957 Mbytes Page：5 Pages	SCHOTTKY DIODES REVERSE VOLTAGE 20 TO 200V FORWARD CURRENT 2.0A	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
SM260BM	文件：324.81 Kbytes Page：2 Pages	20 ~ 200V, 2A Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SM260DT	文件：292.27 Kbytes Page：2 Pages	丝印：PS26；Package：SOD-123DT；Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SM260DT-C	文件：292.27 Kbytes Page：2 Pages	Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS

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技术参数

反向关态电压（伏特）：
20
最小击穿电压（伏特）：
18
最大击穿电压（伏特）：
22
测试电流（毫安）：
1
最大限制电压（伏特）：
29.1
峰值脉冲电流（安培）：
13.7
最大反向漏电（微安）：
5
产品外型：
MELF

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市福安瓯科技有限公司	SM2212	MICREL	25+	QFN	915	⊙⊙新加坡大量现货库存,深圳常备现货!欢迎查询!⊙	询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司	SM2307PSAC-TRG	SINOPOWER		SOT23	5000	原装长期供货!	询价
深圳市佳鑫美电子科技有限公司	SM2110	CORETRUS	24+	QFN	2568	原装优势!绝对公司现货	询价
深圳市福田区绿盛电子商行	SM2301	SEM	36118	SOT23-3	2015	专业代理MOS管,型号齐全,公司优势产品	询价
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深圳市昌和盛利电子有限公司	SM290D	SIEMENS	23+	DIP40	12735		询价

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