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SM200A	文件：67.78 Kbytes Page：4 Pages	SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR FEATURES ·PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-O ·Forsurfacemountedapplications ·Glasspassivatedjunction ·Lowinductancesurgeresistance ·Fastresponsetime:typicallessthan1.0psfrom0voltstoV(BR)forunidirectionalAND5.0nsfor bidir	MICMIC GROUP RECTIFIERS 昌福电子昌福电子有限公司	MIC
SM200T100R	文件：529.09 Kbytes Page：6 Pages	SCHOTTKY RECTIFIER Lowforwardvoltagedrop Highfrequencyoperation Guardringforenhancedruggednessand Longtermreliability Designedandqualifiedforindustriallevel Baseplate:Nickelplated;Terminals:Nickelplated ThisisaPb−FreeDevice AllSMCpartsaretraceabletothewaferlot Additionalt	SMCDIODESMC Diode Solutions Co. LTD 桑德斯微电子桑德斯微电子器件（南京）有限公司	SMCDIODE
SM20100D	文件：62.58 Kbytes Page：2 Pages	20.0 AMP Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers FEATURES •Lowforwardvoltagedrop •Highcurrentcapability •Highreliability •Highsurgecurrentcapability •Epitaxialconstruction	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SM20100D1	文件：275.39 Kbytes Page：2 Pages	VOLTAGE 100 V 20Amps Schottky Barrier Rectifiers FEATURES ●Lowforwardvoltagedrop ●Lowreversecurrent ●Highcurrentcapability ●Highreliability ●Highsurgecurrentcapability ●Epitaxialconstruction	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SM20150D	文件：124.29 Kbytes Page：2 Pages	20 AMP Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers FEATURES •Lowforwardvoltagedrop •Highcurrentcapability •Highreliability •Highsurgecurrentcapability •Epitaxialconstruction	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SM20200D	文件：308.66 Kbytes Page：2 Pages	20A Schottky Barrier Rectifiers FEATURES •Lowforwardvoltagedrop •Highcurrentcapability •Highreliability •Highsurgecurrentcapability •Epitaxialconstruction	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SM2020D	文件：62.58 Kbytes Page：2 Pages	20.0 AMP Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers FEATURES •Lowforwardvoltagedrop •Highcurrentcapability •Highreliability •Highsurgecurrentcapability •Epitaxialconstruction	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SM2029	文件：217.3 Kbytes Page：6 Pages	MULTILAYER CHIP BEAD MATERIALS： a.Body：Ferrite b.Internalconductor：SilverorAg/Pd c.Terminalelectrode：Ag/Ni/Sn d.Remark：ProductscomplywithRoHSrequirements	ABCABC Taiwan Electronics Corp 千如电子千如电子集团	ABC
SM2040D	文件：62.58 Kbytes Page：2 Pages	20.0 AMP Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers FEATURES •Lowforwardvoltagedrop •Highcurrentcapability •Highreliability •Highsurgecurrentcapability •Epitaxialconstruction	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SM2060D	文件：62.58 Kbytes Page：2 Pages	20.0 AMP Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers FEATURES •Lowforwardvoltagedrop •Highcurrentcapability •Highreliability •Highsurgecurrentcapability •Epitaxialconstruction	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS

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技术参数

反向关态电压（伏特）：
20
最小击穿电压（伏特）：
18
最大击穿电压（伏特）：
22
测试电流（毫安）：
1
最大限制电压（伏特）：
29.1
峰值脉冲电流（安培）：
13.7
最大反向漏电（微安）：
5
产品外型：
MELF

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