600V N-Channel MOSFET

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MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd

美浦森半导体深圳市美浦森半导体有限公司

600V CoolMOS짧 CE Power Transistor

文件：1.01271 Mbytes 页数：14 Pages

INFINEON

英飞凌

600V 0.28ohm N-channel MOSFET

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MGCHIP

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 13.8A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.28Ω(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC

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ISC

无锡固电