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SKW30N60数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

SKW30N60

参数属性

SKW30N60 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 41A 250W TO247-3

功能描述

分立式IGBT
IGBT 600V 41A 250W TO247-3

封装外壳

TO-247-3

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 23:00:00

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SKW30N60规格书详情

描述 Description

英飞凌提供庞大的 IGBT 产品组合,解决软开关/谐振和硬开关拓扑。
 
 

特性 Features

• 较上一代产品能耗降低 30%
• 短路承受时间 – 10μs
• 设计用于 30kHz 以上应用
• 高稳健性和温度稳定性
• 无铅镀层;符合 RoHS
• 符合目标应用 JEDEC 标准

优势:

应用 Application

英飞凌提供丰富的 IGBT 产品组合,适用于各种通用逆变器、光伏逆变器、UPS、感觉加热、微波炉、电饭煲、焊接和 SMPS 领域。

简介

SKW30N60属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的SKW30N60晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :SKW30N60

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Technology 

    :IGBT Fast

  • Switching Frequency min max

    :10.0kHz 40.0kHz

  • Package 

    :TO-247

  • Voltage Class max

    :600.0V

  • IC(@100°) max

    :30.0A

  • IC(@25°) max

    :41.0A

  • ICpuls max

    :112.0A

  • Ptot max

    :250.0W

  • VCE(sat) 

    :2.5V 

  • Eon 

    :0.98mJ 

  • Eoff(Hard Switching) 

    :0.92mJ 

  • td(on) 

    :44.0ns 

  • tr 

    :34.0ns 

  • td(off) 

    :324.0ns 

  • tf 

    :67.0ns 

  • QGate 

    :140.0nC 

  • IF max

    :41.0A

  • IFpuls max

    :112.0A

  • VF 

    :1.4V 

  • Qrr 

    :1740.0nC 

  • Irrm 

    :9.0A 

  • VCE max

    :600.0V

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon(英飞凌)
24+
TO-247
1076
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INFINEON/英飞凌
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