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SKW07N120	文件：413.24 Kbytes Page：13 Pages	Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode •40lowerEoffcomparedtopreviousgeneration •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedfor: -Motorcontrols -Inverter -SMPS •NPT-Technologyoffers: -verytightparameterdistribution	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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SKW07N120_08	文件：336.63 Kbytes Page：13 Pages	Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SKW07N120FKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 16.5A 125W TO247	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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SGB07N120	文件：443.8 Kbytes Page：11 Pages	FastIGBTinNPT-technologylowerEoffcomparedtopreviousgeneration	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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详细参数

型号：
SKW07N120
功能描述：
IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 1200V 8A
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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