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SKM200GB12F4SiC2中文资料SiC混合碳化硅功率模块数据手册Semikron-DANFOSS规格书

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厂商型号

SKM200GB12F4SiC2

功能描述

SiC混合碳化硅功率模块

制造商

Semikron-DANFOSS Semikron International

中文名称

赛米控丹佛斯

数据手册

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更新时间

2025-9-24 11:31:00

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SKM200GB12F4SiC2规格书详情

特性 Features

·IGBT4 = 4. Generation Fast Trench (High Speed) IGBT (Infineon)
·With Silicon Carbide Schottky diodes (ROHM)
·Insulated copper baseplate using DBC Technology (Direct Bonded Copper)
·UL recognized, file no. E63532
·With integrated gate resistor
·For higher switching frequencies

应用 Application

·AC inverter drives
·UPS
·Electronic welders
·DC/DC converters

技术参数

  • 制造商编号

    :SKM200GB12F4SIC2

  • 生产厂家

    :Semikron-DANFOSS

  • Housing

    :SEMITRANS 3 (106x62x31)

  • (LLxBBxHH)

    :106x62x31

  • Switches

    :Half Bridge

  • VCE in V

    :1200

  • ICnom in A

    :200

  • Technology

    :SiC Diode + IGBT 4 fast (Trench)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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