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SKM200GAR125D	文件：695.69 Kbytes Page：6 Pages	Ultra Fast IGBT Modules 文件：695.69 Kbytes 页数：6 Pages	Semikron 赛米控丹佛斯	Semikron
SKM200GAR125D	文件：697.71 Kbytes Page：6 Pages	Ultra Fast IGBT Modules 文件：697.71 Kbytes 页数：6 Pages	Semikron 赛米控丹佛斯	Semikron
SKM200GAR125D	文件：797.89 Kbytes Page：4 Pages	Ultra Fast IGBT Modules 文件：797.89 Kbytes 页数：4 Pages	Semikron 赛米控丹佛斯	Semikron
SKM200GAR125D	文件：710.64 Kbytes Page：6 Pages	Ultra Fast IGBT Modules 文件：710.64 Kbytes 页数：6 Pages	Semikron 赛米控丹佛斯	Semikron
SKM200GAR125D	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBT模块 • N channel , homogeneous Si \n• Low inductance case \n• Short tail current with low temperature dependence \n• High short circuit capability, self limiting to 6 x Icnom\n• Fast & soft inverse CAL diodes \n• Isolated copper baseplate using DCB Direct Copper Bonding Technology \n• Large clearance (13;	Semikron-DANFOSS 赛米控丹佛斯	Semikron-DANFOSS

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更多SKM200GAR125D供应商更新时间2025-10-27 15:51:00