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SKM150GB17E4	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBT模块 • IGBT4 = 4th generation medium fast trench IGBT (Infineon)\n• CAL4 = Soft switching 4th generation CAL-Diode\n• Insulated copper baseplate using DBC Technology (Direct Copper Bonding) \n• With integrated Gate resistor\n• For switching frequencies up to 8kHz\n• UL recognized, file no. E63532;	Semikron-DANFOSSSemikron International 赛米控丹佛斯
SKM150GB17E4	文件：510.59 Kbytes Page：5 Pages	IGBT4 Modules	SemikronSemikron International 赛米控丹佛斯
SKM150GB17E4G	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBT模块 • IGBT4 = 4th generation medium fast trench IGBT (Infineon)\n• CAL4 = Soft switching 4th generation CAL-Diode\n• Insulated copper baseplate using DBC Technology (Direct Copper Bonding) \n• With integrated Gate resistor\n• For switching frequencies up to 8kHz\n• UL recognized, file no. E63532;	Semikron-DANFOSSSemikron International 赛米控丹佛斯
SKM150GB17E4GH16	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBT模块 • H16: IGBT-chip with improved robustness against moisture\n• IGBT4 = 4. generation medium fast trench IGBT (Infineon)\n• CAL4 = Soft switching 4. Generation CAL-Diode\n• Insulated copper baseplate using DBC Technology (Direct Copper Bonding) \n• With integrated Gate resistor\n• For switching freque;	Semikron-DANFOSSSemikron International 赛米控丹佛斯
SKM150GB17E4G	文件：161.33 Kbytes Page：4 Pages	IGBT4 Modules	SemikronSemikron International 赛米控丹佛斯
SKM150GB17E4GH16	文件：600.44 Kbytes Page：6 Pages	IGBT4 Modules	SemikronSemikron International 赛米控丹佛斯

技术参数

Housing：
SEMITRANS 2 (94x34x30)
(LLxBBxHH)：
94x34x30
Switches：
Half Bridge
VCES in V：
1700
ICnom in A：
150
Technology：
IGBT 4 (Trench)

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更多SKM150GB17E4供应商更新时间2025-8-1 17:30:00

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