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SKIM609GAL12E4

Trench IGBT Modules

文件:445.08 Kbytes 页数:5 Pages

Semikron

赛米控丹佛斯

SKIM609GAL12E4

Trench IGBT Modules

文件:345.35 Kbytes 页数:5 Pages

Semikron

赛米控丹佛斯

SKiM609GAL12E4

IGBT模块

• IGBT 4 Trench Gate Technology\n• Solderless sinter technology\n• VCE(sat) with positive temperature coefficient\n• Low inductance case\n• Isolated by Al2O3 DCB (Direct Copper Bonded) ceramic substrate\n• Pressure contact technology for thermal contacts \n• Spring contact system to attach driver PC;

Semikron-DANFOSS

赛米控丹佛斯

SKIM609GAL12E4_11

Trench IGBT Modules

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Semikron

赛米控丹佛斯

技术参数

  • Housing:

    SKIM 93 (160x150x35)

  • (LLxBBxHH):

    160x150x35

  • Switches:

    Single Switch

  • VCES in V:

    1200

  • ICnom in A:

    600

  • Technology:

    IGBT 4 (Trench)

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SEMIKRON(赛米控)
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SEMIKRON(赛米控)
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更多SKIM609GAL12E4供应商 更新时间2025-10-9 11:10:00