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SKiM459GD12E4	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBT模块 • IGBT 4 Trench Gate Technology\n• Solderless sinter technology\n• VCE(sat) with positive temperature coefficient\n• Low inductance case\n• Insulated by Al2O3 DCB (Direct Copper Bonded) ceramic substrate\n• Pressure contact technology for thermal contacts \n• Spring contact system to attach driver P;	Semikron-DANFOSS 赛米控丹佛斯	Semikron-DANFOSS
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更多SKIM459GD12E4供应商更新时间2025-11-22 10:19:00