SKB10N60A中文资料Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode数据手册Infineon规格书
技术参数
- 型号：
SKB10N60A
- 功能描述：
IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 10A
- RoHS：
否
- 制造商：
Fairchild Semiconductor
- 配置：
集电极—发射极最大电压
- VCEO：
650 V
- 集电极—射极饱和电压：
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
- C的连续集电极电流：
150 A
- 栅极—射极漏泄电流：
400 nA
- 功率耗散：
187 W
- 封装/箱体：
TO-247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
24+ |
TO-263 |
27500 |
原装正品,价格最低! |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
TO-263 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
INFINEON |
原厂封装 |
1000 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
INFINEON |
23+ |
10A,600V |
20000 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO-263 |
19800 |
绝对原装进口现货 假一赔十 价格优势!? |
询价 | ||
INFINEON |
21+ |
TO-263 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
Infineon |
22+ |
NA |
2118 |
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询价 | ||
INF |
24+ |
4000 |
询价 | ||||
MICRON |
25+ |
TSSOP54 |
11919 |
询价 | |||
英飞翎 |
17+ |
TO-220 |
31518 |
原装正品 可含税交易 |
询价 |
