SJV01N65B技术资料参数市场行情喜可士SECOS-114ic电子网

首页 >SJV01N65B>规格书列表

零件编号	下载&订购	功能描述	制造商&上传企业	LOGO
SJV01N65B	文件：80.02 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SJV01N65B_15	文件：80.02 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
CEB01N65	文件：429.92 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES TypeVDSSRDS(ON)ID@VGS CEP01N65650V10.5Ω1.3A10V CEF01N65650V10.5Ω1.3A10V CEB01N65650V10.5Ω1.3A10V ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CED01N65	文件：400.59 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■650V,1.2A,RDS(ON)=10.5Ω@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CED01N65A	文件：398.58 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■650V,0.9A,RDS(ON)=15Ω@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CED01N65A	文件：472.38 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 650V,0.9A,RDS(ON)=15W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEF01N65	文件：429.92 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES TypeVDSSRDS(ON)ID@VGS CEP01N65650V10.5Ω1.3A10V CEF01N65650V10.5Ω1.3A10V CEB01N65650V10.5Ω1.3A10V ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEK01N65	文件：1.2255 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■650V,0.35A,RDS(ON)=10.5Ω@VGS=10V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-92(Bulk)&TO-92(Ammopack)package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEK01N65	文件：679.14 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 650V,0.35A,RDS(ON)=10.5W@VGS=10V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. TO-92(Bulk)&TO-92(Ammopack)package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEK01N65A	文件：583.86 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 650V,0.3A,RDS(ON)=15W@VGS=10V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. TO-92(Bulk)&TO-92(Ammopack)package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEK01N65A	文件：375.48 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■650V,0.3A,RDS(ON)=15Ω@VGS=10V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-92(Bulk)&TO-92(Ammopack)package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEP01N65	文件：429.92 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES TypeVDSSRDS(ON)ID@VGS CEP01N65650V10.5Ω1.3A10V CEF01N65650V10.5Ω1.3A10V CEB01N65650V10.5Ω1.3A10V ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEU01N65	文件：400.59 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■650V,1.2A,RDS(ON)=10.5Ω@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEU01N65A	文件：398.58 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■650V,0.9A,RDS(ON)=15Ω@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEU01N65A	文件：472.38 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 650V,0.9A,RDS(ON)=15W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CJB01N65B	文件：345.5 Kbytes Page：2 Pages	TO-263-2LPlastic-EncapsulateMOSFETS	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
CJD01N65B	文件：750.66 Kbytes Page：3 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
CJP01N65B	文件：584.29 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
CJPF01N65B	文件：343.15 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
CJU01N65B	文件：695.63 Kbytes Page：3 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI

12 >>>

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市赛美科科技有限公司	SJ-VDSLP3312			NA	8560	一级代理原装正品假一罚十价格优势长期供货	询价
深圳市振宏微科技有限公司	SJW1151CKS-100-TR	ST	23+	LED	16900	支持样品,原装现货,提供技术支持!	询价
深圳市赛特兴科技有限公司	SJW1151CKS-100-TR	ST	23+	LED	16900	正规渠道,只有原装!	询价
中科航电（深圳）电子集团有限公司	SJW1151CKS-100-TR	ST		LED	36900	集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规	询价
深圳市星佑电子有限公司	SJW1151CKS-100-TR	ST	22+	LED	16900	支持样品原装现货提供技术支持!	询价
深圳市明嘉莱科技有限公司	SJW1151CKS-100-TR	STANLEYELECTRIC	2020+	SMDSMT	880000	明嘉莱只做原装正品现货	询价
深圳市惊羽科技有限公司	SJW1151CKS-100-TR	STANLEY	24+25+/26+27+	车规-LED发射	9358	一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库	询价
深圳市纳立科技有限公司	SJW1302G		三年内		1983	纳立只做原装正品13590203865	询价
深圳市百纳智芯科技有限公司	SJW1302G	ON	2021	N/A	6000		询价
深圳市骏创达科技有限公司	SJW20-10HGA	JST/日压	2308+		467929	一级代理,原装正品,公司现货!	询价

更多SJV01N65B供应商更新时间2024-6-20 16:27:00

相关规格书

相关库存