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SIZ910DT-T1-GE3中文资料PDF规格书
SIZ910DT-T1-GE3规格书详情
FEATURES
• Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition
• TrenchFET® Power MOSFETs
• 100 Rg and UIS Tested
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
APPLICATIONS
• Notebook System Power
• POL
• Synchronous Buck Converter
产品属性
- 型号：
SIZ910DT-T1-GE3
- 功能描述：
MOSFET 30V 40A/40A Dual N-Ch MOSFET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
只做原装 |
21+ |
QFN8 |
36520 |
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询价 | ||
VISHAY/威世 |
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QFN |
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VISHAY/威世 |
22+ |
QFN |
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VISHAY/威世 |
2022+ |
DFN56A-8-EP |
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VISHAY/威世 |
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VISHAY |
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DFN-8 |
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VISHAY/威世 |
2022 |
QFN-8 |
80000 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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VISHAY/威世 |
21+ |
QFN-8 |
50000 |
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询价 | ||
VISHAY |
21+ |
QFN-8 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
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VISHAY |
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QFN |
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询价 |
