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SIZ900DT-T1-GE3	文件：246.79 Kbytes Page：14 Pages	Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETs FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®PowerMOSFETs •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •NotebookSystemPower •POL •SynchronousBuckConverter	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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SIZ900DT-T1-GE3

文件：246.79 Kbytes

Page：14 Pages

Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETs

FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®PowerMOSFETs •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •NotebookSystemPower •POL •SynchronousBuckConverter

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详细参数

型号：
SIZ900DT-T1-GE3
功能描述：
MOSFET 30V 24/28A 48/100W 7.2/3.9mOhms @ 10V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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