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SIZ710DT-T1-GE3

N-Channel 20 V (D-S) MOSFETs

文件:175.44 Kbytes 页数:14 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

SIZ918DT-T1-GE3

VISHAY/威世
QFN8

VISHAY/威世

上传:深圳市洪芯电子有限公司

VISHAY/威世

详细参数

  • 型号:

    SIZ710DT-T1-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET 20V 16A/35A N-CH MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多SIZ710DT-T1-GE3供应商 更新时间2025-10-7 13:58:00