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SISS54DN

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

FEATURES • TrenchFET® Gen V power MOSFET • Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM) • Enables higher power density with very low RDS(on) and thermally enhanced compact package • 100 Rg and UIS tested • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?999

文件:250.31 Kbytes 页数:9 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

SiSS54DN

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

Vishay

威世科技

SIT1050T

芯力特
sop8

芯力特

SIT1533AI-H4-DCC-32.768E

SITIME/赛特时脉
SMD

SITIME/赛特时脉

上传:深圳市瑞卓芯科技有限公司

SITIME/赛特时脉

SiT1602BI-13-25S-24.000000

SITIME/赛特时脉
SMD-4

SITIME/赛特时脉

上传:深圳市瑞卓芯科技有限公司

SITIME/赛特时脉

技术参数

  • Package:

    PowerPAK 1212-8S

  • Ch:

    N

  • VDS (V):

    30

  • VGS (V):

    16

  • RDS(on)@4.5V (Ω):

    0.0015

  • RDS(on)@10V (Ω):

    0.00106

  • Qg @4.5V (nC):

    21

  • Qg @10V (nC):

    47.5

  • Qgs (nC):

    11.3

  • Qgd (nC):

    3

  • ID Max. (A):

    185.6

  • PD Max. (W):

    65.7

  • VGS(th) Min. (V):

    1

  • Rg Typ. (Ω):

    0.75

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更多SISS54DN供应商 更新时间2025-10-7 14:14:00