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SiSHA10DN数据手册Vishay中文资料规格书

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厂商型号

SiSHA10DN

功能描述

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

制造商

Vishay Vishay Siliconix

中文名称

威世科技 威世科技半导体

数据手册

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更新时间

2025-8-8 23:00:00

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SiSHA10DN规格书详情

特性 Features

• TrenchFET® Gen IV power MOSFET
• 100 % Rg and UIS tested




技术参数

  • 制造商编号

    :SISHA10DN

  • 生产厂家

    :Vishay

  • Package

    :PowerPAK 1212-8SH

  • Ch

    :N

  • VDS (V)

    :30

  • VGS (V)

    :20

  • RDS(on)@4.5V (Ω)

    :0.005

  • RDS(on)@10V (Ω)

    :0.0037

  • Qg @4.5V (nC)

    :15.4

  • Qg @10V (nC)

    :34

  • Qgs (nC)

    :5.8

  • Qgd (nC)

    :2.6

  • ID Max. (A)

    :30

  • PD Max. (W)

    :39

  • VGS(th) Min. (V)

    :1.1

  • Rg Typ. (Ω)

    :1.7

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