SiSHA10DN中文资料N-Channel 30 V (D-S) MOSFET数据手册Vishay规格书
SiSHA10DN规格书详情
特性 Features
• TrenchFET® Gen IV power MOSFET
• 100 % Rg and UIS tested
技术参数
- 制造商编号
：SISHA10DN
- 生产厂家
：Vishay
- Package
：PowerPAK 1212-8SH
- Ch
：N
- VDS (V)
：30
- VGS (V)
：20
- RDS(on)@4.5V (Ω)
：0.005
- RDS(on)@10V (Ω)
：0.0037
- Qg @4.5V (nC)
：15.4
- Qg @10V (nC)
：34
- Qgs (nC)
：5.8
- Qgd (nC)
：2.6
- ID Max. (A)
：30
- PD Max. (W)
：39
- VGS(th) Min. (V)
：1.1
- Rg Typ. (Ω)
：1.7
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
XX |
24+ |
NA/ |
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VISHAY |
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POWERPAK12 |
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VISHAY |
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VISHAY |
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POWERPAK12 |
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VISHAY |
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VISHAY |
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POWERPAK12 |
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Vishay |
NEW- |
MOSFETs |
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PowerPAK12128SH |
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VISHAY/威世 |
22+ |
POWERPAK12 |
6000 |
原装正品 |
询价 |
