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SISH101DN	文件：191.62 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 30 V (D-S) MOSFET 文件：191.62 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
SISH101DN-T1-GE3	文件：191.62 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 30 V (D-S) MOSFET 文件：191.62 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
SISH106DN	文件：189.4 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel 20 V (D-S) Fast Switching MOSFET 文件：189.4 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
SISH106DN-T1-GE3	文件：189.4 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel 20 V (D-S) Fast Switching MOSFET 文件：189.4 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
SISH108DN	文件：191.02 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel 20 V (D-S) Fast Switching MOSFET 文件：191.02 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
SISH108DN-T1-GE3	文件：191.02 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel 20 V (D-S) Fast Switching MOSFET 文件：191.02 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
SiSH103DN	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-Channel 30 V (D-S) MOSFET • TrenchFET® power MOSFET\n• 100 % Rg and UIS tested;	Vishay 威世	Vishay
SiSH106DN	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel 20 V (D-S) Fast Switching MOSFET	Vishay 威世	Vishay
SiSH108DN	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel 20 V (D-S) Fast Switching MOSFET	Vishay 威世	Vishay

技术参数

Package：
PowerPAK 1212-8
Ch：
P
VDS (V)：
-30
VGS (V)：
25
RDS(on)@4.5V (Ω)：
0.015
RDS(on)@10V (Ω)：
0.0089
Qg @4.5V (nC)：
23.3
Qg @10V (nC)：
48
Qgs (nC)：
8.4
Qgd (nC)：
8.6
ID Max. (A)：
-54
PD Max. (W)：
41.6
VGS(th) Min. (V)：
-1
Rg Typ. (Ω)：
3.4

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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