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SiSD5806DN数据手册Vishay中文资料规格书

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厂商型号

SiSD5806DN

功能描述

N-Channel 80 V (D-S) MOSFET

制造商

Vishay Vishay Siliconix

中文名称

威世科技 威世科技半导体

数据手册

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更新时间

2025-8-8 23:00:00

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SiSD5806DN规格书详情

特性 Features

• TrenchFET® Gen V power MOSFET
• Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)
• Source flip technology, enhance thermal performance




技术参数

  • 制造商编号

    :SISD5806DN

  • 生产厂家

    :Vishay

  • Package

    :PowerPAK 1212-F

  • Ch

    :N

  • VDS (V)

    :80

  • VGS (V)

    :20

  • RDS(on)@7.5V (Ω)

    :0.0086

  • RDS(on)@10V (Ω)

    :0.0069

  • Qg @10V (nC)

    :22

  • Qgs (nC)

    :8.8

  • Qgd (nC)

    :1.8

  • ID Max. (A)

    :64

  • PD Max. (W)

    :57

  • VGS(th) Min. (V)

    :2.3

  • Rg Typ. (Ω)

    :0.45

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