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SiSD5806DN中文资料N-Channel 80 V (D-S) MOSFET数据手册Vishay规格书
SiSD5806DN规格书详情
特性 Features
• TrenchFET® Gen V power MOSFET
• Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)
• Source flip technology, enhance thermal performance
技术参数
- 制造商编号
：SISD5806DN
- 生产厂家
：Vishay
- Package
：PowerPAK 1212-F
- Ch
：N
- VDS (V)
：80
- VGS (V)
：20
- RDS(on)@7.5V (Ω)
：0.0086
- RDS(on)@10V (Ω)
：0.0069
- Qg @10V (nC)
：22
- Qgs (nC)
：8.8
- Qgd (nC)
：1.8
- ID Max. (A)
：64
- PD Max. (W)
：57
- VGS(th) Min. (V)
：2.3
- Rg Typ. (Ω)
：0.45
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Phoenix/菲尼克斯 |
23/24+ |
1404513 |
4503 |
优势特价 原装正品 全产品线技术支持 |
询价 | ||
Vishay Siliconix |
2022+ |
PowerPAK? 1212-8SCD |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
Vishay(威世) |
25+ |
PowerPAK1212-8SCD |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
询价 | ||
可天士KODENSHI |
23+ |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | |||
VISHAY/威世 |
17+ |
PowerPAK1212-8 |
2248 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
询价 | ||
Vishay Siliconix |
2025+ |
PowerPAK1212-8SCD |
56303 |
询价 | |||
NK/南科功率 |
2025+ |
PowerPAK1212-8SCD |
986966 |
国产 |
询价 | ||
Vishay |
NEW- |
MOSFETs |
100000 |
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin PowerPAK 1212-SCD |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
24+ |
PowerPAK1212-8 |
60000 |
全新原装现货 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
PowerPAK1212-8 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 |
