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SiS9634LDN规格书详情
特性 Features
• TrenchFET® Gen IV power MOSFET
• Fully lead (Pb)-free device
• Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio reduces switching related power loss
技术参数
- 制造商编号
：SIS9634LDN
- 生产厂家
：Vishay
- Package
：PowerPAK 1212-8
- Ch
：N
- VDS (V)
：60
- VGS (V)
：20
- RDS(on)@4.5V (Ω)
：0.0448
- RDS(on)@10V (Ω)
：0.031
- Qg @4.5V (nC)
：3.3
- Qg @10V (nC)
：7.1
- Qgs (nC)
：1.7
- Qgd (nC)
：0.9
- ID Max. (A)
：6
- PD Max. (W)
：17.9
- VGS(th) Min. (V)
：1
- Rg Typ. (Ω)
：1.6
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