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SRAS890	文件：210.45 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountSchottkyBarrierRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
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ST890	文件：443.9 Kbytes Page：9 Pages	1.2ACURRENTLIMITEDHIGHSIDEWITHTHERMALSHUTDOWN	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
ST890	文件：148.45 Kbytes Page：7 Pages	1.2ACURRENTLIMITEDHIGHSIDEWITHTHERMALSHUTDOWN DESCRIPTION TheST890isalowvoltage,P-ChannelMOSFETpowerswitchintendedforhighsideloadswitchingapplications. ■2.7VTO5.5VINPUTRANGE ■PROGRAMMABLECURRENTLIMITUPTO1.2A ■LOWQUIESCENTCURRENT ■THERMALSHUTDOWN ■FAULTINDICATOROUTPUT ■90mΩ(TYP.)ONRESISTANCE ■SO-	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
ST890	文件：563.49 Kbytes Page：20 Pages	1.2Acurrentlimitedhighsidepowerswitchwiththermalshutdown	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
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详细参数

型号：
SIS890DN
功能描述：
MOSFET 100V 23.5mOhm@10V 30A N-Ch MV T-FET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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