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SiRS5800DP中文资料N-Channel 80 V (D-S) MOSFET数据手册Vishay规格书
SiRS5800DP规格书详情
特性 Features
• TrenchFET® Gen V power MOSFET
• Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)
• Leadership RDS(on) minimizes power loss from conduction
技术参数
- 制造商编号
:SIRS5800DP
- 生产厂家
:Vishay
- Package
:PowerPAK SO-8S
- Ch
:N
- VDS (V)
:80
- VGS (V)
:20
- RDS(on)@7.5V (Ω)
:0.0023
- RDS(on)@10V (Ω)
:0.0018
- Qg @10V (nC)
:81
- Qgs (nC)
:31
- Qgd (nC)
:7.6
- ID Max. (A)
:265
- PD Max. (W)
:240
- VGS(th) Min. (V)
:2
- Rg Typ. (Ω)
:1.3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY(威世) |
24+ |
PowerPAKSO8 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
- |
24+ |
NA/ |
1984 |
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询价 | ||
KODENSHI/可天士 |
25+ |
DIP-4 |
65428 |
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KODENSHI |
24+ |
DIP-4 |
880000 |
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KODENSHI |
25+23+ |
DIP-4 |
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询价 | ||
24+ |
BGA |
1000 |
询价 | ||||
KODENSHI AUK(光电子) |
2021+ |
Through Hole |
971 |
询价 | |||
原厂 |
2024+ |
QFP |
50000 |
原装现货 |
询价 | ||
VISHAY |
25+ |
PowerPAK-1 |
3252 |
询价 | |||
Vishay Siliconix |
2022+ |
原厂原包装 |
6800 |
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询价 |