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SiRA10DDP

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

• TrenchFET® Gen IV power MOSFET\n• 100 % Rg and UIS tested\n\n\n\n;

Vishay

威世

SIRA14DP-T1-GE3

DFN5X6

NK/南科功率

SIRA18ADP-T1-GE3

PAK-SO-8

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

上传:深圳市森泰鸿科技有限公司

SIS307DV

BGA

SIS

矽统科技

上传:深圳庞田科技有限公司

SIS412DN-T1-GE3

PowerPAK1212-8

VISHAY(威世)

技术参数

  • Package:

    PowerPAK SO-8

  • Ch:

    N

  • VDS (V):

    30

  • VGS (V):

    20

  • RDS(on)@4.5V (Ω):

    0.005

  • RDS(on)@10V (Ω):

    0.0031

  • Qg @4.5V (nC):

    11.7

  • Qg @10V (nC):

    24.1

  • Qgs (nC):

    5.5

  • Qgd (nC):

    2.2

  • ID Max. (A):

    96

  • PD Max. (W):

    43

  • VGS(th) Min. (V):

    1.2

  • Rg Typ. (Ω):

    1.3

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VISHAY/威世
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VISHAY/威世
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