首页 >SIR892DP-T1-GE>规格书列表

抱歉:您搜索的 SIR892DP-T1-GE 暂无相关数据

可以在线咨询客服为你深度寻找

详细参数

  • 型号:

    SIR892DP-T1-GE

  • 功能描述:

    MOSFET 25V 50A 50W 3.2mohm @ 10V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
VISHAY/一定原
23+
QFN-8
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价
VISHAY/一定原
16+
QFN-8
25
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
VISHAY/威世
22+
QFN8
25000
只有原装绝对原装,支持BOM配单!
询价
Vishay/Siliconix
24+
SO-8
7500
询价
VISHAY
2016+
QFN
3799
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
询价
VISHAY
23+
PAKSO-8
8650
受权代理!全新原装现货特价热卖!
询价
VISHAY
20+
na
65790
原装优势主营型号-可开原型号增税票
询价
VISHAY
25+
DFN-8
1675
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!
询价
VISHAY/威世
23+
QFN
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价
VISHAY/威世
21+
QFN
10000
原装现货假一罚十
询价
更多SIR892DP-T1-GE供应商 更新时间2025-11-23 13:01:00