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SIR882BDP

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

FEATURES • TrenchFET® Gen IV power MOSFET • Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM) • Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM • 100 Rg and UIS tested • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS • Synchronous rectification • Prim

文件:262.029 Kbytes 页数:9 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

SiR882BDP

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

Vishay

威世科技

SIR882DP

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

文件:509.85 Kbytes 页数:13 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

SMBT882SS

NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor

文件:482.16 Kbytes 页数:3 Pages

SECOS

喜可士

SOD882

Package outline

文件:7.08 Kbytes 页数:1 Pages

STANFORD

技术参数

  • Package:

    PowerPAK SO-8

  • Ch:

    N

  • VDS (V):

    100

  • VGS (V):

    20

  • RDS(on)@4.5V (Ω):

    0.0095

  • RDS(on)@10V (Ω):

    0.0083

  • Qg @4.5V (nC):

    24.6

  • Qg @10V (nC):

    54

  • Qgs (nC):

    11.5

  • Qgd (nC):

    4.7

  • ID Max. (A):

    67.5

  • PD Max. (W):

    83.3

  • VGS(th) Min. (V):

    1

  • Rg Typ. (Ω):

    0.8

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
VISHAY/威世
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VISHAY/威世原装特价SiR882BDP即刻询购立享优惠#长期有货
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更多SIR882BDP供应商 更新时间2025-10-7 9:05:00