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TSD-826	文件：41.76 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHMODEDC/DCPOWERCONVERSIONTRANSFORMERS	PMI Premier Magnetics, Inc.	PMI
U826	文件：657.1 Kbytes Page：17 Pages	TOCHANGEWITHOUTNOTICEACCESSORIES	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
U826	文件：654.22 Kbytes Page：16 Pages	MISCELLANEOUSHARDWARE-ACCESSORIES	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
UG-826	文件：860.06 Kbytes Page：10 Pages	EvaluatingtheHMC7044DualLoopClockJitterCleaner FEATURESSimplepowerconnectionusingUSBconnectionandon-boardLDOvoltageregulators LDOscanbebypassedforpowermeasurements AC-coupleddifferentialSMAconnectors SMAconnectorsfor2referenceInputs6clockoutputs 1VCXOoutputMicrosoftWindows®–basedevaluationsoftwarewith si	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
UPA826TC	文件：66.74 Kbytes Page：12 Pages	NPNSILICONEPITAXIALTWINTRANSISTORWITHBUILT-IN2x2SC5010FLAT-LEAD6-PINTHIN-TYPEULTRASUPERMINIMOLD FEATURES •Lownoiseandhighgain •Operableatlowvoltage •Smallfeedbackcapacitance:Cre=0.4pFTYP. •Flat-lead6-pinthin-typeultrasuperminimoldpackage •Built-in2transistors(2×2SC5010)	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA826TF	文件：216.82 Kbytes Page：14 Pages	SILICONTRANSISTOR HIGH-FREQUENCYLOW-NOISEAMPLIFIER NPNSILICONEPITAXIALTWINTRANSISTOR (WITHBUILT-IN6-PIN2u2SC4959)THIN-TYPESMALLMINIMOLD FEATURES •Lownoiseandhighgain •Operableatlowvoltage •Smallfeedbackcapacitance Cre=0.4pFTYP. •Built-in2transistors(2u2SC4959) •6-pi	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA826TF	文件：39 Kbytes Page：6 Pages	NPNSILICONEPITAXIALTWINTRANSISTOR FEATURES •Lownoiseandhighgain •Operableatlowvoltage •Smallfeedbackcapacitance Cre=0.4pFTYP. •Built-in2transistors(2u2SC4959) •6-pinthin-typesmallminimoldpackageadopted	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
VIWT826A	文件：187.43 Kbytes Page：3 Pages	VDSLFILTERSOLUTIONS	deltaDelta Electronics, Inc. 台达电子台达电子工业股份有限公司	delta
ZC826	文件：140.18 Kbytes Page：6 Pages	SILICONION-IMPLANTEDHYPERABRUPTTUNERDIODES SILICONION-IMPLANTEDHYPERABRUPTTUNERDIODES	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex

详细参数

型号：
SIR826ADP
功能描述：
MOSFET 80V 5.5mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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