首页>SIR774DP-T1-GE3>规格书详情
SIR774DP-T1-GE3分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
SIR774DP-T1-GE3 |
| 参数属性 | SIR774DP-T1-GE3 包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个；产品描述：MOSFET N-CH 30V |
| 功能描述 | N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| 文件大小 |
133.55 Kbytes |
| 页面数量 |
7 页 |
| 生产厂商 | Vishay Siliconix |
| 企业简称 |
VISHAY【威世科技】 |
| 中文名称 | 威世科技半导体官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-1 23:00:00 |
| 人工找货 | SIR774DP-T1-GE3价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
SIR774DP-T1-GE3规格书详情
SIR774DP-T1-GE3属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由威世科技半导体制造生产的SIR774DP-T1-GE3晶体管 - FET，MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。
产品属性
更多- 产品编号：
SIR774DP-T1-GE3
- 制造商：
Vishay Siliconix
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 系列：
SkyFET®, TrenchFET®
- 包装：
管件
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
32A（Ta），40A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
4.5V，10V
- Vgs（最大值）：
±20V
- 描述：
MOSFET N-CH 30V
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
24+ |
NA/ |
8972 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
VISHAY/原装正品 |
19+ |
PAKSO-8 |
750 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
22+ |
SO-8 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
2020+ |
5000 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
询价 | ||||
VISHAY/威世 |
2450+ |
QFN |
6540 |
只做原厂原装正品终端客户免费申请样品 |
询价 | ||
VISHAY |
DFN56 |
65890 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
V1SHAY |
24+ |
PowerPAKSO-8 |
21238 |
原装正品现货库存假一赔十欢迎询价 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
PAKSO-8 |
7000 |
询价 | |||
Vishay Siliconix |
2022+ |
- |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
Vishay Siliconix |
22+ |
PowerPAK? SO8 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 |
