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SIR662DP-T1-GE3	文件：510.11 Kbytes Page：13 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：510.11 Kbytes 页数：13 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
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详细参数

型号：
SIR662DP-T1-GE3
功能描述：
MOSFET 60V 2.7mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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