SiR5710DP数据手册Vishay中文资料规格书
SiR5710DP规格书详情
特性 Features
• TrenchFET® Gen V power MOSFET
• Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)
• Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM
技术参数
- 制造商编号
：SIR5710DP
- 生产厂家
：Vishay
- Package
：PowerPAK SO-8
- Ch
：N
- VDS (V)
：150
- VGS (V)
：20
- RDS(on)@7.5V (Ω)
：0.037
- RDS(on)@10V (Ω)
：0.0315
- Qg @10V (nC)
：10
- Qgs (nC)
：5
- Qgd (nC)
：1.15
- ID Max. (A)
：26.8
- PD Max. (W)
：56.8
- VGS(th) Min. (V)
：2
- Rg Typ. (Ω)
：1.4
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
24+ |
N/A |
2819 |
原装原装原装 |
询价 | ||
NK/南科功率 |
2025+ |
PowerPAKSO-8 |
986966 |
国产 |
询价 | ||
Vishay / Siliconix |
2025+ |
SO-8 |
56303 |
询价 | |||
Vishay |
NEW- |
MOSFETs |
100000 |
SIR5710DP-T1-RE3 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
2511 |
DFN5*6 |
360000 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
VISHAY(威世) |
24+ |
PowerPAKSO8 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 |
