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SIR510DP-T1-RE3	文件：265.73 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Gen V power MOSFET • Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM) • Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM • 100 Rg and UIS tested • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS • Synchronous rectification • Prima 文件：265.73 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
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更多SIR510DP-T1-RE3供应商更新时间2025-10-7 10:22:00