适用于电池充放电的高边 NMOS 驱动器

SiLM2660/61是用于电池充电/放电系统控制的低功耗、高边N沟道FET驱动器。采用高边控制策略避免系统中接地的断开，并允许电池组和主机系统之间的持续通信。SiLM2660具有额外的PFET控制输出，以允许对深度放电的电池进行低电流预充电，并且还集成了用于主机监控的电池PACK+电压检测。\r\n\r\n独立的使能输入接口允许电池充电和放电FET分别导通和关断，为电池系统保护提供可靠性和设计灵活性。 • 高边NFET驱动器，具有极短的开启和关闭时间，用于迅速保护电池。\r\n\r\n• 预充电PFET驱动器为深度耗尽的电池组提供电流限制的预充电功能(仅适用于SiLM2660)。\r\n\r\n• 充电和放电的独立使能控制。\r\n\r\n• 基于外部电容器可扩展的电荷泵，可适用多颗NFET并联驱动。\r\n\r\n• 高的输入耐压值（最大100V）。\r\n\r\n• 可配置的电池组电压检测功能（仅适用于SiLM2660）。\r\n\r\n• 支持可配置的通用和独立充电和放电路径管理。\r\n\r\n• 低功耗：正常模式：40uA；待机模式：小于10uA。;

Sillumin

数明半导体

LOW COST - HIGH PERFORMANCE VOLTAGE CONTROLLED OSCILLATOR

FEATURES • Frequency Range: 2620-2700 MHz • Tuning Voltage: 0.5-4.5 Vdc • SUB-L - Style Package APPLICATIONS • Microwave Links • WLAN • Portable Radios

文件：135.54 Kbytes 页数：2 Pages

ZCOMM

Voltage-Controlled Oscillator Surface Mount Module

文件：80.51 Kbytes 页数：2 Pages

ZCOMM

TPS2660x 60-V, 2-A Industrial eFuse with Integrated Reverse Input Polarity Protection

文件：3.11741 Mbytes 页数：45 Pages

TI

德州仪器