| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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VISHAYN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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12年
留言
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VISHAY/威世PowerPAKSO-8L |
9850 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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12年
留言
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VISHAYQFN8 |
9500 |
25+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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12年
留言
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VISHAYQFN8 |
18600 |
25+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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6年
留言
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VISHAY/威世PowerPAKSO-8L |
2483 |
21+ |
原装进口无铅现货 |
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17年
留言
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3000 |
24+ |
自己现货 |
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15年
留言
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VISHAY/威世SO-8 |
20300 |
25+ |
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VISHAY/威世原装特价SiJ482DP即刻询购立享优惠#长期有货 |
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2年
留言
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VishayNA |
6800 |
23+ |
原装正品,力挺实单 |
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6年
留言
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VISHAY-威世QFN-8.贴片 |
83500 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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6年
留言
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VISHAY-威世SMD-8.贴片 |
9328 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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6年
留言
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VISHAY-威世DFN-8.贴片 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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6年
留言
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VISHAY-威世DFN-8.贴片 |
83500 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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5年
留言
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Vishay SiliconixPowerPAK? SO8 |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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6年
留言
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VISHAY-威世PowerPAK |
36218 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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10年
留言
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Vishay(威世)PowerPAK? SO-8 |
32000 |
24+ |
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈 |
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11年
留言
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原装VISHAYTO252-4 |
20000 |
19+ |
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10年
留言
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VISHAYTSOP48 |
86720 |
26+ |
代理授权原装正品价格最实惠 本公司承诺假一赔百 |
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16年
留言
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VISHAY原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
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12年
留言
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VISHAYSO-8L |
30000 |
25+ |
代理全新原装现货,价格优势 |
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4年
留言
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Vishay(威世)N/A |
8800 |
25+ |
公司只做原装,详情请咨询 |
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SIJ图片
SIJ478DP-T1-GE3价格
SIJ478DP-T1-GE3价格：￥0.0000品牌：VISHAY
生产厂家品牌为VISHAY的SIJ478DP-T1-GE3多少钱，想知道SIJ478DP-T1-GE3价格是多少？参考价：￥0.0000。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，SIJ478DP-T1-GE3批发价格及采购报价，SIJ478DP-T1-GE3销售排行榜及行情走势，SIJ478DP-T1-GE3报价。
SIJA52DP-T1-GE3中文资料Alldatasheet PDF
更多SIJ400DP-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 32A 69.4W 4.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIJ420DP制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20 V(D-S) MOSFET
SIJ420DP-T1-GE3功能描述:MOSFET N-CH 20V 8-SOIC RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:TrenchFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
SIJ458DP制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V(D-S) MOSFET
SIJ458DP-T1-GE3功能描述:MOSFET N-CH 30V 8-SOIC RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:TrenchFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
SIJ478DP-T1-GE3制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:MOSFETS - Tape and Reel 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N-CHAN 80V SO-8L 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:N-CHANNEL 80-V(D-S) MOSFET
SIJ482DP制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 80 V(D-S) MOSFET
SIJ482DP-T1-GE3功能描述:MOSFET 80V 6.2mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIJ484DP-T1-GE3功能描述:MOSFET N-CH 30V PPAK SO-8L RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:TrenchFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
SIJ800DP-T1-GE3功能描述:MOSFET 40V 9.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
