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SIHW33N60E

Reduced switching and conduction losses

文件:329.63 Kbytes 页数:8 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

SIHW33N60E

iscN-Channel MOSFET Transistor

文件:445.9 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

SIHW33N60E_V01

E Series Power MOSFET

文件:328.7 Kbytes 页数:8 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

SIHW33N60E-GE3

E Series Power MOSFET

文件:328.7 Kbytes 页数:8 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

SiHW33N60E

E Series Power MOSFET

·Low figure-of-merit (FOM): Ron x Qg\n·Low input capacitance (Ciss)\n·Reduced switching and conduction losses;

Vishay

威世

详细参数

  • 型号:

    SIHW33N60E

  • 功能描述:

    MOSFET 600V 99mOhm@10V 33A N-Ch E-SRS

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多SIHW33N60E供应商 更新时间2026-2-2 14:16:00