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SiHW23N60E

E Series Power MOSFET

Low Figure-of-Merit (FOM) Ron x Qg\n Low Input Capacitance (Ciss)\n Reduced Switching and Conduction Losses\n\n ;

Vishay

威世

SIHW23N60E

E Series Power MOSFET

文件:151.85 Kbytes 页数:7 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

FMH23N60E

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

文件:585.96 Kbytes 页数:5 Pages

FUJI

富士通

FMH23N60ES

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

文件:585.01 Kbytes 页数:5 Pages

FUJI

富士通

FMR23N60E

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

文件:592.4 Kbytes 页数:5 Pages

FUJI

富士通

详细参数

  • 型号:

    SIHW23N60E

  • 功能描述:

    MOSFET 600V 158mOhm@10V 23A N-Ch E-SRS

  • RoHS:

  • 制造商:

    Vishay/Siliconix

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    20 V

  • 漏极连续电流:

    23 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.158 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 最大工作温度:

    + 150 C

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    TO-247AD-3

  • 封装:

    Bulk

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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25+
TO247
15000
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更多SIHW23N60E供应商 更新时间2026-2-5 10:12:00