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SIHG14N50D	文件：208.97 Kbytes Page：10 Pages	D Series Power MOSFET FEATURES •OptimalDesign -LowAreaSpecificOn-Resistance -LowInputCapacitance(Ciss) -ReducedCapacitiveSwitchingLosses -HighBodyDiodeRuggedness -AvalancheEnergyRated(UIS) •OptimalEfficiencyandOperation -LowCost -SimpleGateDriveCircuitry -LowFigure-of-Merit(	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHG14N50D	文件：185.92 Kbytes Page：8 Pages	D Series Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHG14N50D_V01	文件：208.97 Kbytes Page：10 Pages	D Series Power MOSFET FEATURES •OptimalDesign -LowAreaSpecificOn-Resistance -LowInputCapacitance(Ciss) -ReducedCapacitiveSwitchingLosses -HighBodyDiodeRuggedness -AvalancheEnergyRated(UIS) •OptimalEfficiencyandOperation -LowCost -SimpleGateDriveCircuitry -LowFigure-of-Merit(	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHP14N50D	文件：165.62 Kbytes Page：9 Pages	DSeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHP14N50D	文件：168.28 Kbytes Page：8 Pages	DSeriesPowerMOSFETs FEATURES •OptimalDesign -LowAreaspecificOn-Resistance -LowInputCapacitance(Ciss) -ReducedCapacitiveSwitchingLosses -HighBodyDiodeRuggedness -AvalancheEnergyRated(UIS) •OptimalEfficiencyandOperation -LowCost -SimpleGateDriveCircuitry -LowFigure-Of-Merit(	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHP14N50D	文件：328.85 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SLB14N50C	文件：335.06 Kbytes Page：6 Pages	500VN-ChannelMOSFET	MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd 美普森深圳市美普森半导体有限公司	MAPLESMI
SLF14N50C	文件：349.97 Kbytes Page：7 Pages	500VN-ChannelMOSFET	MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd 美普森深圳市美普森半导体有限公司	MAPLESMI
SLI14N50C	文件：335.06 Kbytes Page：6 Pages	500VN-ChannelMOSFET	MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd 美普森深圳市美普森半导体有限公司	MAPLESMI
SLP14N50C	文件：349.97 Kbytes Page：7 Pages	500VN-ChannelMOSFET	MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd 美普森深圳市美普森半导体有限公司	MAPLESMI

详细参数

型号：
SIHG14N50D
功能描述：
MOSFET 500V 400mOhm@10V 14A N-Ch D-SRS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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