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SIHG068N60EF

EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode

FEATURES • 4th generation E series technology • Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg • Low effective capacitance (Co(er)) • Reduced switching and conduction losses • Avalanche energy rated (UIS) • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 AP

文件:207.76 Kbytes 页数:10 Pages

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威世

SiHG068N60EF

EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode

Vishay

威世

SIHH068N60E

E Series Power MOSFET

文件:143 Kbytes 页数:7 Pages

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威世

SIHP068N60EF

EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode

文件:164.33 Kbytes 页数:8 Pages

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威世

技术参数

  • Package:

    TO-247AC

  • Ch:

    N

  • VDS (V):

    600

  • VGS (V):

    30

  • RDS(on)@10V (Ω):

    0.068

  • Qg @10V (nC):

    51

  • Qgs (nC):

    19

  • Qgd (nC):

    16

  • ID Max. (A):

    41

  • PD Max. (W):

    250

  • VGS(th) Min. (V):

    3

  • Rg Typ. (Ω):

    0.7

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更多SIHG068N60EF供应商 更新时间2025-10-13 8:14:00